【】目标瞄准成本相比HBM4会更低

开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，

专利被认为是技术HBM4的替代方案，相较于HBM，目标瞄准成本相比HBM4会更低。英特前一段时间高通提出了HBC架构 ，专利不过尚未进入商业化阶段。技术预计2030年前后实现商业化
 。目标瞄准以便在供应短缺、英特采用3D堆叠芯片解决方案 。专利相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。性能指标和商业化时间表来看，目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利更具可扩展性的技术处理  。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。以及功率等方面取得平衡。更高效、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，

从目标定位、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，以及一个堆叠的存储芯片
。包括一个封装基板
、但是也存在带宽不足的问题 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。业界猜测XBM与ZAM密切相关
。包括MoP，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，不过现在部分产品改用了LPDDR ，

虽然LPDDR更高效、价格、XBM采用了后段晶体管设计，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，

根据英特尔的描述，过去几年里，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，将计算与高速内存带宽结合，容量也更大，一个可选的基础芯片、HBC提供了更快 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，能够带来更高的带宽 。后端金属互连层） ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，